首款采用xMemory的Stellar P6 MCU將于2025年下半年量產(chǎn)，專為電動汽車動力系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該技術(shù)基于意法半導(dǎo)體領(lǐng)先的28nm嵌入式相變存儲器(ePCM)技術(shù)，具有業(yè)界最小的非易失性存儲單元尺寸，內(nèi)存密度達(dá)其他技術(shù)的兩倍。公司汽車產(chǎn)品部負(fù)責(zé)人表示："xMemory技術(shù)讓汽車制造商能夠在開發(fā)后期靈活擴(kuò)展內(nèi)存，有效應(yīng)對軟件復(fù)雜性的持續(xù)增長。"

Stellar系列包括適用于區(qū)域控制器的P/G系列和針對電驅(qū)動系統(tǒng)的E系列，全部采用Arm架構(gòu)。該解決方案可降低30%開發(fā)成本，縮短產(chǎn)品上市周期，并通過延長產(chǎn)品生命周期提升投資回報(bào)率。分析師指出，這一創(chuàng)新將顯著促進(jìn)汽車電子架構(gòu)的集中化演進(jìn)。