1月2日，商務(wù)部發(fā)布公告，根據(jù)《中華人民共和國(guó)出口管制法》和《中華人民共和國(guó)兩用物項(xiàng)出口管制條例》等法律法規(guī)有關(guān)規(guī)定，為維護(hù)國(guó)家安全和利益，履行防擴(kuò)散等國(guó)際義務(wù)，決定將通用動(dòng)力公司等28家美國(guó)實(shí)體列入出口管制管控名單，并采取以下措施：

一、禁止向上述28家美國(guó)實(shí)體出口兩用物項(xiàng);正在開展的相關(guān)出口活動(dòng)應(yīng)當(dāng)立即停止。

二、特殊情況下確需出口的，出口經(jīng)營(yíng)者應(yīng)當(dāng)向商務(wù)部提出申請(qǐng)。

該公告自公布之日起正式實(shí)施。

在此次商務(wù)部公布的出口管制名單中有一家半導(dǎo)體公司，那就是英特磊公司。據(jù)悉，英特磊科技股份有限公司于2011年4月26日在開曼群島設(shè)立，營(yíng)運(yùn)主體位于美國(guó)得州，是全球磷化銦、銻化鎵磊芯片代工領(lǐng)導(dǎo)廠商，采用MBE技術(shù)從事砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)等III-V族化合物半導(dǎo)體磊晶(Epi)的生產(chǎn)，具有基板到磊晶的垂直整合技術(shù)能力，提供無線通訊、衛(wèi)星通訊、光纖通訊等商業(yè)，以及太空與國(guó)防上的紅外線感測(cè)、夜視、攝影等產(chǎn)品應(yīng)用。

磊晶是一種用于半導(dǎo)體器件制造過程中，在原有晶片上長(zhǎng)出新結(jié)晶，以制成新半導(dǎo)體層的技術(shù)。此技術(shù)又稱磊晶成長(zhǎng)，可用以制造硅晶體管到CMOS集成電路等各種元件，在制作化合物半導(dǎo)體例如砷化鎵時(shí)，磊晶尤其重要;砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏;磷化銦是一種無機(jī)化合物，主要用作半導(dǎo)體材料，用于光纖通訊技術(shù)。

2017年光器件市場(chǎng)份額前三的廠商分別為Finisar、Lumemtum和Oclaro。其中，F(xiàn)inisar與英特磊在光通訊應(yīng)用磷化銦PIN、APD產(chǎn)品合作密切，英特磊會(huì)為Finisar的VCSEL訂單代工。當(dāng)時(shí)任英特磊科技代理發(fā)言人范振隆曾表示公司獲得的訂單主要供應(yīng)中國(guó)手機(jī)品牌廠。

2021年，英特磊董事長(zhǎng)高永中表示針對(duì)5G需求所開發(fā)的GaN產(chǎn)品，2022年開始正式量產(chǎn)并貢獻(xiàn)營(yíng)收，客戶對(duì)外延(Epi)品質(zhì)反應(yīng)良好。目前主要的服務(wù)偏重于高摻雜GaN二次生長(zhǎng)，應(yīng)用的是與國(guó)防、高端衛(wèi)星通訊、5G相關(guān)的GaN HEMT外延片。

2023年，英特磊因生產(chǎn)基地大宗聚焦美國(guó)本土，宣布將申請(qǐng)美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》補(bǔ)貼，并用來擴(kuò)廠增效。2024年4月，英特磊宣布已成功獲得德克薩斯州芯片法案提供的410萬美元資金補(bǔ)助。這筆資金將直接助力公司在德州的擴(kuò)廠計(jì)劃，主要會(huì)用于支持德州二廠的擴(kuò)建項(xiàng)目，預(yù)計(jì)將于2025年1月動(dòng)工，包括增加生產(chǎn)設(shè)備、優(yōu)化生產(chǎn)流程以及提升倉(cāng)儲(chǔ)能力等，預(yù)計(jì)能夠顯著提升公司的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。此外，英特磊透露，美國(guó)聯(lián)邦芯片法案的補(bǔ)助申請(qǐng)已進(jìn)入實(shí)質(zhì)審查階段，目前進(jìn)度順利。

隨著AI市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)，英特磊主要產(chǎn)品磷化銦的需求有望提升，而銻化鎵則在國(guó)防產(chǎn)品上的訂單量增長(zhǎng)迅速。高永中預(yù)計(jì)未來公司營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)將達(dá)到20%至30%。